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J-GLOBAL ID：201502283819634603   整理番号：15A0268136

ITOナノ構造のエッチングのためのナノ粒子及びナノスフェアマスク及びその反射特性

Nanoparticle and nanosphere mask for etching of ITO nanostructures and their reflection properties

著者 (10件)： XU Cigang (Oxford Instruments Plasma Technol., North End Road, Yatton, Bristol, BS49 4AP, GBR) ,  DENG Ligang ,  HOLDER Adam ,  BAILEY Louise R. ,  LEENDERTZ Caspar ,  BERGMANN Joachim ,  PROUDFOOT Gary ,  THOMAS Owain ,  GUNN Robert ,  COOKE Mike
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 1  ページ： 171-176  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Auナノ粒子及びポリスチレンナノスフェアを,酸化インジウムスズ(ITO)層のプラズマエッチングのためのマスクとして用いた。反応性イオンエッチング(RIE)プロセスにより,ポリスチレンナノスフェアの形態を,化学的及び物理的エッチングを通して調整でき,Auナノ粒子マスクは,ナノスフェアマスクより大きなアスペクト比のITOナノ構造をもたらすことができた。誘導結合プラズマ(ICP)プロセス中,Auナノ粒子マスクは,プラズマの熱効果による影響を受けなかった。しかるに,基板の温度は,プラズマの損傷効果からナノスフェアを護るのに不可欠であった。プラズマにおける物理的衝撃も,ナノスフェアを改質した。同一プロセス条件下において,プロセスガスにおけるCH₄とH₂の比が,ナノスフェアを完全にエッチングすることなく,ITOのエッチング速度に影響を与え得ることが見られた。ITOナノ構造の形態も,プロセス条件に依存した。得られたITOナノ構造は,c-Si及びSiN膜の従来の反射防止層より,400~1000nmのスペクトル範囲において低い反射を示した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *ナノ構造 ,  *プラズマエッチング ,  *マスク ,  *金 ,  *ナノ粒子 ,  *ポリスチレン ,  *RIE【エッチング】 ,  アスペクト比 ,  誘導結合プラズマ ,  *熱影響 ,  損傷 ,  衝撃 ,  反射防止膜
準シソーラス用語： ITO ,  *ナノスフェア ,  *反応性イオンエッチング ,  *熱効果

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ITO ,  ナノ構造 ,  エッチング ,  ナノ粒子 ,  反射特性