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J-GLOBAL ID：201502286063871346   整理番号：15A0532158

1Gfpsを目指した超高速撮像素子の新展開-ISIS,BSI,マルチ電荷収集ゲート,3D積層-

Toward 1Gfps: Evolution of Ultra-High-Speed Image Sensors-ISIS, BSI, Multi-Collection Gates, and 3D stacking-

著者 (7件)： 下ノ村和弘 (立命館大) ,  江藤剛治 (立命館大) ,  DAO V. T. S. (立命館大) ,  CHARBON E. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ZHANG C. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  鎌倉良成 (大阪大) ,  松岡俊匡 (大阪大)
資料名： 映像情報メディア学会技術報告
巻： 39  号： 16(IST2015 10-23)  ページ： 49-52  発行年： 2015年03月20日 
JST資料番号： S0209A  ISSN： 1342-6893  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1GfPs超高速撮像素子の実現に向けた研究開発の展望について概観する。現在,固体撮像素子の撮像速度は1670万枚/秒に達しているが,さらに10億枚/秒を目指した研究が進められている。この目標を達成するために,我々は,マルチ電荷収集ゲート構造を持つセンサ画素回路と,XNOR回路付きリングオシレータを用いたCMOSドライバ回路から構成されるセンサユニットを提案している。これらのセンサとドライバはそれぞれ別のICチップ上に作られ,3D積層によりセンサユニットを構成する。シミュレーション解析により,提案技術を用いて目標とする10億枚/秒達成の見通しを得た。(著者抄録)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  *CMOS構造 ,  高速度カメラ ,  光電素子 ,  固体素子 ,  三次元 ,  積層構造 ,  電子回路 ,  リング発振器 ,  駆動回路 ,  半導体チップ ,  半導体集積回路 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 3D ,  *CMOSイメージセンサ ,  ICチップ ,  ドライバ回路 ,  リングオシレータ ,  画素回路 ,  固体撮像素子 ,  撮像時間 ,  超高速 ,  超高速カメラ ,  電荷収集

分類 (2件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• T. G. Etoh, High-speed video camera of 4,500 pps, J. ITE, 543-549, 1992 (in Japanese).
• T. G. Etoh D. Poggemann, A. Ruckelshausen, A. Theuwissen, G. Kreider, H.-O. Folkerts, et al., A CCD image sensor of 1Mframes/s for continuous image capturing of 103 frames, ISSCC2002, 46-47, 2002.
• T. G. Etoh, H. D. Nguyen, V. T. S. Dao, C. L. Vo, M. Tanaka, T. Okinaka et al., A 16 Mfps 165kpixel backside illuminated CCD, ISSCC2011, 406-407, 2011.
• T. Arai, J. Yonai, T. Hayashida, H. Ohtake, H. van Kuijk and T. G. Etoh, 252V/lux 16.7-Million per second 312-kpixel back-side-illuminated ultrahigh-speed Charge Coupled Device, IEEE Trans. ED, 60(10), 3450-3458, 2013.
• T. G. Etoh, V. T. S. Dao, T. Yamada and E. Charbon, Toward one Giga frames per second-Evolution of In-situ Image Sensors, Sensors, 13(4), 4640-4658, 2013.

タイトルに関連する用語 (6件)： 撮像素子 ,  展開 ,  マルチ ,  電荷収集 ,  ゲート ,  3D