特許
J-GLOBAL ID：201503000168552053

窒化物半導体素子及びその製造方法

発明者：
寺野 昭久

寺野 昭久 について

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土屋 朋信

土屋 朋信 について

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金田 直樹

金田 直樹 について

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三島 友義

三島 友義 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


代理人 (1件)： 青稜特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-267517
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126016
出願日： 2013年12月25日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】良好な特性を有する窒化物半導体素子としてnpn型のバイポーラトランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、n型コレクタ層と、その上層に膜厚及びp型不純物濃度が異なる3層構造の第一(下層側)、第二、及び第三(上層側)のp型ベース層を設けたいわゆるpnエピ基板を用いて、p型ベース層の中間層に位置する前記第二のp型ベース層内の一部に、イオン注入によってn型エミッタ領域を設けた構造とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された第一のn型窒化物半導体層と、 前記第一のn型窒化物半導体層上の所望の領域に形成された第一のp型不純物濃度を持つ第一のp型窒化物半導体層と、 前記第一のp型窒化物半導体層上に形成された第二のp型不純物濃度を持つ第二のp型窒化物半導体層と、 前記第二のp型窒化物半導体層上の一部の領域に形成された第三のp型不純物濃度を持つ第三のp型窒化物半導体層と、 前記第二のp型窒化物半導体層の一部領域内部にn型不純物をイオン注入して形成された第二のn型窒化物半導体からなる領域と、 前記第一のn型窒化物半導体層に対してオーミック接続する第一の電極と、 前記第三のp型窒化物半導体層に対してオーミック接続する第二の電極と、 前記第二のn型窒化物半導体に対してオーミック接続する第三の電極と、 を備え、 前記第一のp型窒化物半導体層に添加された第一のp型不純物濃度は、前記第二のp型窒化物半導体層に添加された第二のp型不純物濃度よりも高く、前記第三のp型窒化物半導体層に添加された第三のp型不純物濃度は、前記第二のp型窒化物半導体に添加された第二のp型不純物濃度よりも高いことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L29/72 H ,  H01L29/72 Z ,  H01L21/20
Fターム (22件)：
5F003BA92 ,  5F003BB90 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BM02 ,  5F003BP23 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F003BP42 ,  5F003BP95 ,  5F152LL05 ,  5F152LN12 ,  5F152LN14 ,  5F152MM03 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (3件)

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