特許
J-GLOBAL ID：201503000908396904

有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法

発明者：
小高 和浩

小高 和浩 について

, 
佐藤 敏浩

佐藤 敏浩 について

, 
徳田 尚紀

徳田 尚紀 について


出願人/特許権者：
株式会社ジャパンディスプレイ

株式会社ジャパンディスプレイ について


代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-194351
公開番号（公開出願番号）：特開2015-060750
出願日： 2013年09月19日
公開日（公表日）： 2015年03月30日
要約：
【課題】高い精度で電極のパターンを形成可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の実現を目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置1aの製造方法は、基板10上に第1の絶縁層12を形成する工程と、第1のパターニング層13を形成する工程と、第2のパターニング層32を形成する工程と、溝部20を形成する工程と、前記第2のパターニング層上と前記溝部内とに電極層34を形成する工程と、を備え、前記溝部を形成する工程において、前記溝部内に露出する前記第1のパターニング層の端部13aを、前記溝部内に露出する前記第2のパターニング層の端部32aよりも平面視で外側までエッチングを行い、前記電極層を形成する工程において、前記溝部内に形成された前記電極層と、前記溝部の周辺に形成された前記電極層とが分離する、ことを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
矩形の表示領域と前記表示領域の外周を囲む額縁領域とを有する基板上に第1の絶縁層を形成する工程と、 前記第1の絶縁層上に第1のパターニング層を形成する工程と、 前記第1のパターニング層上に第2のパターニング層を形成する工程と、 前記額縁領域における前記第2のパターニング層及び前記第1のパターニング層の一部を除去して溝部を形成する工程と、 前記第2のパターニング層上と前記溝部内とに電極層を形成する工程と、 を備え、 前記溝部を形成する工程において、 前記溝部内に露出する前記第1のパターニング層の端部を、前記溝部内に露出する前記第2のパターニング層の端部よりも平面視で外側までエッチングを行い、 前記電極層を形成する工程において、 前記第1のパターニング層の端部よりも下側に位置し、前記溝部内に形成された前記電極層と、前記第1のパターニング層の端部の上側に位置し、前記溝部の外側に形成された前記電極層とが分離する、 ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
IPC (6件)：
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/06
FI (6件)：
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 B ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/06
Fターム (14件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC35 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD21 ,  3K107DD26 ,  3K107DD38 ,  3K107DD39 ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107EE03 ,  3K107GG04 ,  3K107GG12
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM