特許
J-GLOBAL ID:200903032029759833

有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 棚井 澄雄 ,  実広 信哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-521697
公開番号(公開出願番号):特表2009-545117
出願日: 2007年07月25日
公開日(公表日): 2009年12月17日
要約:
本発明は、(a)下部電極上に絶縁層を形成するステップと、(b)前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層の上面から前記下部電極に至る開口部を形成するステップであり、最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング(overhang)構造が形成されるように開口部を形成するステップと、(c)前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に導電層を形成するステップと、(d)前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に有機物層を形成するステップと、(e)前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に上部電極を形成するステップとを含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法、これによって製造された有機発光素子、および前記有機発光素子を含む電子装置を提供する。
請求項(抜粋):
(a)下部電極上に絶縁層を形成するステップと、 (b)前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層の上面から前記下部電極に至る開口部を形成するステップであり、最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング(overhang)構造が形成されるように開口部を形成するステップと、 (c)前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に導電層を形成するステップと、 (d)前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に有機物層を形成するステップと、 (e)前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に上部電極を形成するステップと、 を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26
FI (4件):
H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z
Fターム (13件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC45 ,  3K107DD44X ,  3K107DD44Y ,  3K107DD44Z ,  3K107DD89 ,  3K107DD90 ,  3K107DD95 ,  3K107GG12 ,  3K107GG13 ,  3K107GG28
引用特許:
審査官引用 (11件)
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