特許
J-GLOBAL ID：201503001008084521
半導体光検出素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柴山 健一
, 城戸 博兒
, 池田 正人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006062
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065909
特許番号：特許第5805679号
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電型の半導体からなり、互いに対向する第1主面及び第2主面を有すると共に前記第1主面側に第2導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の前記第1主面上に設けられ、発生した電荷を転送する複数の電荷転送電極と、を備え、
前記シリコン基板は、前記第2主面側に形成された前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第1導電型のアキュムレーション層と共に、前記第2主面における少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する領域にパルスレーザ光の照射により形成された結晶損傷が生じている不規則な凹凸を備え、
前記シリコン基板の前記第2主面における、前記不規則な凹凸が形成された領域は、前記アキュムレーション層の表面に含まれていると共に、光学的に露出し、
少なくとも第2導電型の前記半導体領域に対向する前記領域に前記不規則な凹凸が形成された前記第2主面に対向する前記第1主面が光入射面とされて、前記第1主面から入射した光が前記シリコン基板内を進み、前記シリコン基板内を進む光が、前記不規則な凹凸により反射、散乱、又は拡散される、表面入射型であり、
前記不規則な凹凸が形成された前記領域を含む前記アキュムレーション層の厚みが、前記不規則な凹凸の高低差よりも大きいことを特徴とする半導体光検出素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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