特許
J-GLOBAL ID:201503001469718336

超格子構造体、その製造方法およびそれを用いた電極材料

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-077997
公開番号(公開出願番号):特開2015-201483
出願日: 2014年04月04日
公開日(公表日): 2015年11月12日
要約:
【課題】 本発明の課題は、スーパーキャパシタ、擬似容量キャパシタ等に好適な超格子構造体、その製造方法およびそれを用いた電極材料を提供すること。【解決手段】 本発明の超格子構造体は、M12+イオンとM23+イオンとを含有する複水酸化物ナノシートと、還元された酸化グラフェンナノシートとが交互に積層され、M12+イオンのM1元素は、Co、Fe、Ni、Mn、CuおよびZnからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、M23+イオンのM2元素は、Al、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびGaからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、層間距離は、0.8nm以上1.3nm未満の範囲である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
M12+イオンとM23+イオンとを含有する複水酸化物ナノシートと、還元された酸化グラフェンナノシートとが交互に積層された超格子構造体であって、 前記M12+イオンのM1元素は、Co、Fe、Ni、Mn、CuおよびZnからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、 前記M23+イオンのM2元素は、Al、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびGaからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、 層間距離は、0.8nm以上1.3nm未満の範囲である、超格子構造体。
IPC (7件):
H01G 11/30 ,  C01G 51/00 ,  C01G 53/00 ,  B32B 9/00 ,  H01G 11/32 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00
FI (7件):
H01G11/30 ,  C01G51/00 ,  C01G53/00 A ,  B32B9/00 A ,  H01G11/32 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00
Fターム (23件):
4F100AA01 ,  4F100AA01B ,  4F100AA17A ,  4F100BA08 ,  4F100BA08A ,  4F100BA08B ,  4F100GB41 ,  4F100JA11 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  5E078AA02 ,  5E078AA03 ,  5E078AB01 ,  5E078AB03 ,  5E078BA11 ,  5E078BA71 ,  5E078BB21
引用特許:
出願人引用 (3件)
引用文献:
出願人引用 (1件)
  • Self-Assembled Graphene/Carbon Nanotube Hybrid Films for Supercapacitors

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