特許
J-GLOBAL ID:201503001469718336
超格子構造体、その製造方法およびそれを用いた電極材料
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-077997
公開番号(公開出願番号):特開2015-201483
出願日: 2014年04月04日
公開日(公表日): 2015年11月12日
要約:
【課題】 本発明の課題は、スーパーキャパシタ、擬似容量キャパシタ等に好適な超格子構造体、その製造方法およびそれを用いた電極材料を提供すること。【解決手段】 本発明の超格子構造体は、M12+イオンとM23+イオンとを含有する複水酸化物ナノシートと、還元された酸化グラフェンナノシートとが交互に積層され、M12+イオンのM1元素は、Co、Fe、Ni、Mn、CuおよびZnからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、M23+イオンのM2元素は、Al、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびGaからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、層間距離は、0.8nm以上1.3nm未満の範囲である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
M12+イオンとM23+イオンとを含有する複水酸化物ナノシートと、還元された酸化グラフェンナノシートとが交互に積層された超格子構造体であって、
前記M12+イオンのM1元素は、Co、Fe、Ni、Mn、CuおよびZnからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、
前記M23+イオンのM2元素は、Al、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびGaからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素であり、
層間距離は、0.8nm以上1.3nm未満の範囲である、超格子構造体。
IPC (7件):
H01G 11/30
, C01G 51/00
, C01G 53/00
, B32B 9/00
, H01G 11/32
, B82Y 30/00
, B82Y 40/00
FI (7件):
H01G11/30
, C01G51/00
, C01G53/00 A
, B32B9/00 A
, H01G11/32
, B82Y30/00
, B82Y40/00
Fターム (23件):
4F100AA01
, 4F100AA01B
, 4F100AA17A
, 4F100BA08
, 4F100BA08A
, 4F100BA08B
, 4F100GB41
, 4F100JA11
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 4G048AA03
, 4G048AB02
, 4G048AC04
, 4G048AD02
, 4G048AD06
, 4G048AE05
, 5E078AA02
, 5E078AA03
, 5E078AB01
, 5E078AB03
, 5E078BA11
, 5E078BA71
, 5E078BB21
引用特許:
引用文献:
出願人引用 (1件)
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Self-Assembled Graphene/Carbon Nanotube Hybrid Films for Supercapacitors
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