特許

J-GLOBAL ID：201503001724314481

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 牧山 剛三 ,  尾崎 史朗
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  加藤 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-085621
公開番号（公開出願番号）：特開2015-207589
出願日： 2014年04月17日
公開日（公表日）： 2015年11月19日
要約：

【課題】電子供給層にInAlNを用いたショットキーゲート電極を有するHEMTにおいて、ゲートリーク電流を低くする。【解決手段】基板の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上にInAlNを含む材料により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の表面の一部を酸化することにより形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有することを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板の上に窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の上にInAlNを含む材料により形成された第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の表面の一部を酸化することにより形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、 前記第2の半導体層の上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (17件)：

5F102GA14 ,  5F102GA15 ,  5F102GA16 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR09 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-166622   出願人：アイメック
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-035117   出願人：富士通株式会社
• スイッチング素子及びスイッチング素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-107901   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-157062   出願人：新日本無線株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-166622   出願人：アイメック
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-035117   出願人：富士通株式会社
• スイッチング素子及びスイッチング素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-107901   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-157062   出願人：新日本無線株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• ALD-A1203/lnAIN界面に対する熱処理の効果 Effect of annealing on ALD-Al203/InAlN inter