特許
J-GLOBAL ID：201203032052568854

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
山田 敦史

山田 敦史 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 伊東 忠彦 ,  山口 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-035117
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174875
出願日： 2011年02月21日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：
【課題】絶縁膜を有する窒化物半導体を低コストで製造する。【解決手段】基板10の上方に形成された半導体層22,23,24と、前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜30と、前記絶縁膜上に形成された電極41と、を有し、前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上方に形成された半導体層と、 前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された電極と、 を有し、 前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786
FI (8件)：
H01L29/78 301B ,  H01L29/80 H ,  H01L21/283 B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/316 U ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T
Fターム (78件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB17 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG18 ,  5F058BC03 ,  5F058BF69 ,  5F058BJ01 ,  5F102FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GT03 ,  5F102GV03 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F110AA03 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA40 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BG27 ,  5F140BG44 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140BK33 ,  5F140CC02 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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