特許
J-GLOBAL ID：200903090222050850
イオン注入装置およびイオン注入方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235650
公開番号（公開出願番号）：特開2007-052941
出願日： 2005年08月16日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】 装置構成を複雑化することなく、注入元素の電荷による基板のチャージアップを防止する。【解決手段】 真空チャンバ1内で形成したプラズマPからグリッド電極6を介してイオンを引き出し、基板Wへ当該イオンを注入するイオン注入装置10において、グリッド電極6を介してプラズマ中の正イオンと電子を基板へ交互に供給する電圧印加手段を設ける。電圧印加手段8は、基板Wを支持するステージ5と、ステージ5に正電位と負電位とを周期的に印加するパルス電源で構成される。この構成により、イオン注入過程で生じる基板Wのチャージアップを抑制できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空チャンバと、この真空チャンバ内にプラズマを形成するプラズマ源と、プラズマからイオンを引き出すグリッド電極とを備え、前記プラズマから前記グリッド電極を介して引き出したイオンを被処理基板へ注入するイオン注入装置において、
前記プラズマから前記グリッド電極を介して前記被処理基板側へ正イオンと電子を交互に引き出す電圧印加手段を備えたことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, H01J 27/02
, H01L 21/265
, H01J 37/08
H01J37/317 Z
, H01J27/02
, H01L21/265 N
, H01L21/265 603C
, H01J37/08
5C030DD01
, 5C030DE04
, 5C030DE09
, 5C030DG09
, 5C034CC01
, 5C034CD10
出願人引用 (3件)
審査官引用 (6件)
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特開昭63-301455
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ビーム源
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-200989
出願人：株式会社荏原製作所
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製膜装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-261935
出願人：三菱重工業株式会社, 学校法人鶴学園
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