イオン注入装置およびイオン注入方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：池田憲保 , 福田修一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-348315
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159928
出願日： 2006年12月25日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】被処理基板に正電荷のイオン注入の際、被処理基板にチャージアップダメージが発生しにくいイオン注入装置およびイオン注入方法を提供する。【解決手段】正電荷のイオン注入の際、被処理基板から2次電子が放出されて、チャージアップされるのを軽減するために、被処理基板と対向する位置に、導体部材を設け、当該導体部材を電気的に高周波的に接地する。また、被処理基板に与えられるRF電力をパルス状に制御することによって、被処理基板に発生する電界強度を低減させても良い。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

減圧可能な処理室と、該処理室内にプラズマを励起する手段と、前記処理室内に設けられ被処理基板を保持する保持台と、前記処理室内において前記保持台に対向する位置に設けられ、前記プラズマを前記保持台の方向へ透過しうる部分を有する導体部材と、前記保持台に保持される前記被処理基板に基板バイアス用RF電力を印加する手段とを含み、前記導体部材は前記RF電力の周波数に対して電気的に接地されていることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01L 21/265 , H01J 37/32 , H01J 37/317

FI (4件)：

H01L21/265 F , H01J37/32 , H01J37/317 Z , H01L21/265 N

Fターム (1件)：

5C034CC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-435508 出願人：大見忠弘

審査官引用 (5件)

表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-083838 出願人：株式会社小松製作所
表面処理装置及び表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-145394 出願人：株式会社アルバック
プラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-007707 出願人：株式会社アルバック

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