特許
J-GLOBAL ID：201503002270996805

レーザ加工方法

発明者：
角井 素貴

角井 素貴 について

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仲前 一男

仲前 一男 について

, 
玉置 忍

玉置 忍 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  ▲高▼木 邦夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-266688
公開番号（公開出願番号）：特開2014-121734
特許番号：特許第5804040号
出願日： 2013年12月25日
公開日（公表日）： 2014年07月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 導体層と前記導体層上に積層された樹脂製の絶縁層とを含む対象物をパルスレーザ光の光路上に設置し、前記対象物にパルスレーザ光を照射することにより、前記導体層上の所定領域に位置する前記絶縁層のみを破壊損傷で除去するレーザ加工方法であって、 前記パルスレーザ光の波長として、前記導体層に対する吸収率が10%未満かつ前記絶縁層に対する透過率が70%以上となる波長を選択し、 前記パルスレーザ光の半値全幅が10psより大きくかつ5ns未満となるように、前記パルスレーザ光の繰り返し周波数を50kHz以上の所定の値に設定し、 前記パルスレーザ光の1パルス当たりのフルーエンスを、前記半値全幅に依存した前記絶縁層の破壊損傷閾値以上であり、かつ、前記導体層がほとんど損傷を受けない範囲に設定し、 前記選択された波長、前記設定された1パルス当たりのフルーエンスおよび前記設定された繰り返し周波数を有する前記パルスレーザ光を、前記所定領域の前記絶縁層に掃引しながら直接入射させ、 前記絶縁層を通過した後に前記導体層に到達するよう、前記対象物の所定領域に照射するレーザ加工方法。
IPC (4件)：
B23K 26/40 ( 201 4.01) ,  B23K 26/00 ( 201 4.01) ,  B23K 26/36 ( 201 4.01) ,  H05K 3/00 ( 200 6.01)
FI (5件)：
B23K 26/40 ,  B23K 26/00 N ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/36 ,  H05K 3/00 N
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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