特許
J-GLOBAL ID：201503003014507348

パターン形成体の製造方法

発明者：
山田 剛

山田 剛 について


出願人/特許権者：
ウシオ電機株式会社

ウシオ電機株式会社 について


代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  藤田 節 ,  小原 淳史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-270402
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126139
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】酸素を含む雰囲気中で、真空紫外光をマスクを介してSAM等の有機単分子膜に照射する場合において、マスクパターンに忠実なパターンを精度良く形成することができる、パターン形成体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】表面に有機単分子膜が設けられたパターン形成用基板に対し、酸素を含む雰囲気中において真空紫外光をマスクを介して照射することにより、前記有機単分子膜の一部をパターン状に除去する工程を含むパターン形成体の製造方法であって、前記真空紫外光が、波長180nm〜200nmの範囲に連続スペクトルを有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に有機単分子膜が設けられたパターン形成用基板に対し、酸素を含む雰囲気中において真空紫外光をマスクを介して照射することにより、前記有機単分子膜の一部をパターン状に除去する工程を含むパターン形成体の製造方法であって、 前記真空紫外光が、波長180nm〜200nmの範囲に連続スペクトルを有する、前記パターン形成体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G03F 7/20 ,  G03F 7/004 ,  C07C 323/03
FI (7件)：
H01L21/30 502D ,  H01L29/78 627C ,  G03F7/20 502 ,  H01L21/30 527 ,  H01L21/30 516F ,  G03F7/004 531 ,  C07C323/03
Fターム (35件)：
2H097CA13 ,  2H125CA12 ,  2H125CB07 ,  2H125CC03 ,  2H125CC28 ,  4H006AA03 ,  4H006AB80 ,  4H006TA04 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ12 ,  4H049VQ21 ,  4H049VR21 ,  4H049VR33 ,  4H049VR43 ,  4H049VU31 ,  4H049VW01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB80 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110DD01 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110GG05 ,  5F110QQ01 ,  5F146AA22 ,  5F146AA28 ,  5F146CA02 ,  5F146CA08 ,  5F146DA27
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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