アルミナ膜の形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-522912
特許番号：特許第5744202号
出願日： 2012年06月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板を準備する準備工程と、前記基板に、アルミニウム原子を含むアルミニウム源材料と酸素原子を含む酸素源材料とを供給して、原子層堆積法によってアルミナ膜を形成する膜形成工程とを有し、該膜形成工程において、前記酸素源材料としてH2OおよびO3を用いる、アルミナ膜の形成方法であって、前記膜形成工程は、前記アルミニウム源材料および前記H2Oを前記基板に供給して第1アルミナ膜を形成する第1形成工程と、該第1形成工程の後に、前記アルミニウム源材料および前記O3を前記基板に供給して、前記第1アルミナ膜の上に第2アルミナ膜を形成する第2形成工程とを有する、アルミナ膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) , C23C 16/02 ( 200 6.01) , C23C 16/40 ( 200 6.01) , C23C 16/455 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/316 M , C23C 16/02 , C23C 16/40 , C23C 16/455

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体メモリ素子の誘電体膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-175137 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-117104 出願人：ソニー株式会社
低温での金属酸化物膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-333575 出願人：エイエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.

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