特許
J-GLOBAL ID：201503003185505610

スルホン酸誘導体、光酸発生剤、フォトレジスト材料及び電子デバイスの製造方法

発明者：
細井 康弘

細井 康弘 について

, 
兼子 譲

兼子 譲 について


出願人/特許権者：
東洋合成工業株式会社

東洋合成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-043715
公開番号（公開出願番号）：特開2015-147772
出願日： 2015年03月05日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：
【課題】異物を生じず、且つ発生する酸が十分な酸の強度をもち、レジスト材料に用いられる光酸発生剤、及び光発生酸として好適なスルホン酸誘導体の提供。【解決手段】下記式(1)で表されるスルホン酸誘導体。(RはC1〜30の直鎖状、分岐状もしくは環状の炭化水素基又はC6〜30のアリール基;前記炭化水素基及び前記アリール基は置換基を有する。M+は対カチオン)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で表されることを特徴とするスルホン酸誘導体。
IPC (6件)：
C07C 309/12 ,  C07C 381/12 ,  C07C 25/00 ,  C09K 3/00 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039
FI (6件)：
C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C25/00 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601
Fターム (21件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF27P ,  2H125AF33P ,  2H125AF35P ,  2H125AF38P ,  2H125AH17 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN39P ,  2H125AN64P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB81 ,  4H006EA22
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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