新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-176053
公開番号（公開出願番号）：特開2008-007410
出願日： 2006年06月27日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【解決手段】一般式(1)で示されるスルホン酸塩。(R1はC1〜20のアルキル基、又はC6〜15のアリール基又はC4〜15のヘテロアリール基。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン。)【効果】本発明のスルホン酸は、α,β-位がフッ素で部分置換されているため強い酸性度を示す上、様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅が大きい。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での各種工程に問題なく使用でき、ArF液浸露光の際の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少ない。また、エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため、レジスト廃液を適切に処理することで、低分子量の低蓄積性化合物へと変換可能で、燃焼廃棄時の燃焼性も高い。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるスルホン酸塩。

IPC (6件)：

C07C 309/12 , G03F 7/004 , H01L 21/027 , C07C 381/12 , C07C 381/00 , C07D 333/46

FI (6件)：

C07C309/12 , G03F7/004 503A , H01L21/30 502R , C07C381/12 , C07C381/00 , C07D333/46

Fターム (18件)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB80

引用特許：

出願人引用 (14件)

フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252064 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
感光性耐食膜組成物および方法ならびに同組成物を含む工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-043762 出願人：シプレイ・カンパニー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-132546 出願人：富士写真フイルム株式会社

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審査官引用 (6件)

感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-383817 出願人：富士写真フイルム株式会社
ポジ型感光性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-132546 出願人：富士写真フイルム株式会社
オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-254214 出願人：東京応化工業株式会社

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