特許
J-GLOBAL ID：200903051962496295
熱酸発生剤及びこれを含むレジスト下層膜材料、並びにこのレジスト下層膜材料を用いたパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-135169
公開番号（公開出願番号）：特開2007-304490
出願日： 2006年05月15日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
【解決手段】式(1a)で示される100°C以上の加熱で酸を発生する熱酸発生剤。CF3CH(OCOR)CF2SO3-(R1)4N+ (1a) (式中、Rはアルキル基又はアリール基。R1は水素原子、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはR1のいずれか2つ以上が相互に結合して式中のNと共に環を形成してもよい。)【効果】本発明の熱酸発生剤から発生するスルホン酸は、分子内にエステル部位を有しているため、嵩の低いアシル基から嵩の高い基の導入が容易であり、分子設計の幅を大きく持つことができる。また、これら熱酸発生剤は、十分な酸強度を有し、高分子量で揮発性も低く、加熱により十分な膜形成ができる。デバイス作製後のレジスト廃液処理の際にはより低分子量の低蓄積性の化合物へと変換が可能で、燃焼性も高い。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1a)で示される100°C以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤。
CF3CH(OCOR)CF2SO3-(R1)4N+ (1a)
IPC (3件)：
G03F 7/004
, G03F 7/11
, H01L 21/306
G03F7/004 503Z
, G03F7/11 503
, H01L21/302 105A
2H025AA00
, 2H025AB16
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025DA39
, 2H025FA35
, 2H025FA41
, 4H006AA03
, 4H006AB80
, 4H006AB93
, 4H006TN30
, 5F004DA01
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004DB24
, 5F004DB26
, 5F004EA02
, 5F004EA04
