特許
J-GLOBAL ID:201503003375477299

配線基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-180767
公開番号(公開出願番号):特開2015-050309
出願日: 2013年08月31日
公開日(公表日): 2015年03月16日
要約:
【課題】絶縁信頼性の高い配線基板を提供することを課題とする。【解決手段】中央部にキャビティ形成領域Xおよび外周部にキャビティ形成領域Xを取り囲む配線形成領域Yを有する絶縁層1aと、第1金属箔M1および第2金属箔M2が分離可能に密着されて成る分離可能金属箔Mとを準備する工程と、分離可能金属箔Mを絶縁層1aの少なくとも下面側に第1金属箔M1を被着面として被着させる工程と、絶縁層1aの上面側からキャビティ形成領域Xに、絶縁層1aの下面側の第2金属箔M2に達するとともに第2金属箔M2を貫通しない深さだけ絶縁層1aおよび分離可能金属箔Mを掘削してキャビティ2を形成する工程と、キャビティ2内に固定用樹脂Jを注入する工程と、固定用樹脂Jが注入されたキャビティ2内に電子部品Dを挿入するとともに固定用樹脂Jを硬化させて固定させる工程と、第2金属箔M2を第1金属箔M1との密着面から剥離する工程とを含む。【選択図】図3
請求項(抜粋):
中央部にキャビティ形成領域および外周部に前記キャビティ形成領域を取り囲む枠状の配線形成領域を有する絶縁層と、第1金属箔および第2金属箔が互いに分離可能に密着されて成る分離可能金属箔とを準備する工程と、 前記分離可能金属箔を、前記絶縁層の少なくとも下面側に前記第1金属箔を被着面として被着させる工程と、 前記絶縁層の上面側から前記キャビティ形成領域に、前記絶縁層の下面側の前記第2金属箔に達するとともに該第2金属箔を貫通しない深さだけ前記絶縁層および前記分離可能金属箔を掘削してキャビティを形成する工程と、 前記キャビティ内に固定用樹脂を注入する工程と、 前記固定用樹脂が注入された前記キャビティ内に電子部品を挿入するとともに前記固定用樹脂を硬化させて固定させる工程と、 前記第2金属箔を、前記第1金属箔との密着面から剥離する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (1件):
H05K 3/46
FI (3件):
H05K3/46 Q ,  H05K3/46 B ,  H05K3/46 S
Fターム (22件):
5E346AA06 ,  5E346AA43 ,  5E346BB20 ,  5E346CC04 ,  5E346CC08 ,  5E346CC09 ,  5E346CC31 ,  5E346DD02 ,  5E346DD23 ,  5E346DD24 ,  5E346DD32 ,  5E346DD33 ,  5E346EE31 ,  5E346FF13 ,  5E346FF14 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG22 ,  5E346GG28 ,  5E346HH08 ,  5E346HH31
引用特許:
審査官引用 (3件)

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