特許
J-GLOBAL ID：201503003874027351

半導体発光装置

発明者：
布谷 伸仁

布谷 伸仁 について

, 
藤村 一夫

藤村 一夫 について

, 
伊藤 信也

伊藤 信也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-065820
公開番号（公開出願番号）：特開2015-191910
出願日： 2014年03月27日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体発光装置を提供する。【解決手段】第2の絶縁膜は、第1の配線部と第2の配線部との間、および半導体層の側面に隣接するチップ外周部に設けられている。光学層は、第1の側、およびチップ外周部の第2の絶縁膜上に設けられ、発光層の放射光に対して透過性を有する。光学層と接する側に粗面を有する膜が、チップ外周部の第2の絶縁膜と光学層との間に設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の側と、前記第1の側の反対側の第2の側とを持ち、発光層を有する半導体層と、 前記第2の側において前記半導体層に設けられた第1の電極と、 前記第2の側において前記半導体層に設けられた第2の電極と、 前記第2の側に設けられた第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられるとともに、前記第1の電極に接続された第1の配線部と、 前記第1の絶縁膜上に設けられるとともに、前記第2の電極に接続された第2の配線部と、 前記第1の配線部と前記第2の配線部との間、および前記半導体層の側面に隣接するチップ外周部に設けられた第2の絶縁膜と、 前記第1の側、および前記チップ外周部の前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記発光層の放射光に対して透過性を有する光学層と、 前記チップ外周部の前記第2の絶縁膜と前記光学層との間に設けられ、前記光学層と接する側に粗面を有する膜と、 を備えた半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/54 ,  H01L 33/62
FI (2件)：
H01L33/00 422 ,  H01L33/00 440
Fターム (23件)：
5F142AA26 ,  5F142AA52 ,  5F142AA58 ,  5F142AA62 ,  5F142BA32 ,  5F142CA11 ,  5F142CB07 ,  5F142CD13 ,  5F142CD17 ,  5F142CD23 ,  5F142CD32 ,  5F142CD44 ,  5F142CD47 ,  5F142CF03 ,  5F142CF23 ,  5F142CG05 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA61 ,  5F142DA73 ,  5F142FA42 ,  5F142FA46 ,  5F142GA21
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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