特許
J-GLOBAL ID：201303033961587631
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-153995
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021175
出願日： 2011年07月12日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：
【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態によれば、積層体と、第1電極と、第2電極と、反射層と、第1金属ピラーと、第2金属ピラーと、封止部と、を含む半導体発光素子が提供される。積層体は、第1部分及び第2部分を有する第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、第2部分と第2半導体層との間に設けられた発光部と、を含む。積層体は、第1半導体層の側の第1主面と、2半導体層の側の第2主面と、を有する。第1、第2電極は、第2主面の側において、第1、第2半導体層のそれぞれの上に設けられる。反射層は、積層体の側面を覆い、絶縁性である。第1、第2金属ピラーは、第1、第2電極とそれぞれ接続され、第1半導体層から第2半導体層に向かう第1方向に延びる。封止部は、第1金属ピラー及び第2金属ピラーを封止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1部分と、前記第1部分と並置された第2部分と、を有し、第1導電形の第1半導体層と、
第2導電形の第2半導体層と、
前記第2部分と前記第2半導体層との間に設けられた発光部と、
を含み、前記第1半導体層の側の第1主面と、前記2半導体層の側の第2主面と、を有する積層体と、
前記第1半導体層の前記第1部分の前記第2主面の側の面上に設けられた第1電極と、
前記第2半導体層の前記第2主面の側の面上に設けられた第2電極と、
前記積層体の側面を覆い、絶縁性で、前記発光部から放出される発光光に対して反射性の反射層と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記第1半導体層から前記第2半導体層に向かう第1方向に延びる第1金属ピラーと、
前記第2電極と電気的に接続され前記第1方向に延びる第2金属ピラーと、
前記第1金属ピラーの端部及び前記第2金属ピラーの端部を露出させて前記第1金属ピラー及び前記第2金属ピラーを封止する封止部と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (28件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA13
, 5F041CA40
, 5F041CA64
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA88
, 5F041CB15
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA19
, 5F041DA36
, 5F041DA42
, 5F041DA44
, 5F141AA03
, 5F141AA04
, 5F141CA04
, 5F141CA05
, 5F141CA13
, 5F141CA40
, 5F141CA64
, 5F141CA65
, 5F141CA66
, 5F141CA88
, 5F141CB15
