特許

J-GLOBAL ID：201503004417439845

接合材料及びそれを用いた半導体装置

発明者： 石崎 敏孝 ,  渡邉 亮太
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人セントクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-015155
公開番号（公開出願番号）：特開2015-141860
出願日： 2014年01月30日
公開日（公表日）： 2015年08月03日
要約：

【課題】接合強度が高い接合層を低温(具体的には300°C以下)で形成することが可能な接合材料を提供すること。【解決手段】粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

粒子径が1000nm以下のCu粒子からなりかつ平均粒子径が50nm〜1000nmであるCuナノ粒子と、平均粒子径が1nm〜50nmである微細CuNi合金ナノ粒子とからなる金属ナノ粒子混合物を含有しており、前記金属ナノ粒子混合物における前記微細CuNi合金ナノ粒子の含有量が0.1〜29質量%であり、かつ、前記金属ナノ粒子混合物の含有量が15質量%以上であることを特徴とする接合材料。

IPC (5件)：

H01B 1/00 ,  B22F 1/00 ,  C22C 9/06 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/52

FI (7件)：

H01B1/00 L ,  B22F1/00 L ,  B22F1/00 J ,  C22C9/06 ,  H01B1/00 K ,  H01L21/60 321E ,  H01L21/52 B

Fターム (23件)：

4K018BA02 ,  4K018BA04 ,  4K018BB01 ,  4K018BB03 ,  4K018BB04 ,  4K018BB05 ,  4K018BC12 ,  4K018BC29 ,  4K018BD04 ,  4K018KA32 ,  5F047AA10 ,  5F047AA11 ,  5F047BA14 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F047BB18 ,  5F047BC40 ,  5G301DA06 ,  5G301DA10 ,  5G301DA42 ,  5G301DD01 ,  5G301DD03 ,  5G301DE01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 導電性組成物及び導電膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-084427   出願人：住友金属鉱山株式会社
• ニッケル-銅合金粉末およびその製法、導体ペースト、ならびに電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-247505   出願人：京セラ株式会社
• 金属微粒子組成物及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-254618   出願人：新日鉄住金化学株式会社
• 無機素材用接合剤及び無機素材の接合体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-267997   出願人：三ツ星ベルト株式会社