特許
J-GLOBAL ID：201503004738047530

パターン形成方法、露光用マスク及び露光装置

発明者：
佐藤 隆

佐藤 隆 について

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稲浪 良市

稲浪 良市 について

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伊藤 信一

伊藤 信一 について

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田中 聡

田中 聡 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-170794
公開番号（公開出願番号）：特開2015-041649
出願日： 2013年08月20日
公開日（公表日）： 2015年03月02日
要約：
【課題】露光精度を向上することができるパターン形成方法、露光用マスク及び露光装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、複数の光透過部が周期的に配置された干渉用マスクを用意する工程と、前記干渉用マスクに光を照射し、前記光透過部を透過した前記光による透過光に基づきタルボ干渉を発生させる工程と、前記タルボ干渉による干渉光の一部を遮光用マスクにより遮蔽して、前記遮光用マスクを透過した前記干渉光の他部を露光対象部材へ照射してパターンを形成する工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の光透過部が周期的に配置された干渉用マスクを用意する工程と、 前記干渉用マスクに光を照射し、前記光透過部を透過した前記光による透過光に基づきタルボ干渉を発生させる工程と、 前記タルボ干渉による干渉光の一部を遮光用マスクにより遮蔽して、前記遮光用マスクを透過した前記干渉光の他部を露光対象部材へ照射してパターンを形成する工程と、 を備え、 前記干渉光の前記一部は、前記干渉光に含まれる複数の結像部分の最も外側の1つを含み、 前記遮光用マスクは、前記干渉用マスクから離れる方向に、前記干渉光に含まれる結像部分と反転結像部分との間に配置されるパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  G03F 1/00
FI (3件)：
H01L21/30 509 ,  G03F7/20 521 ,  G03F1/00 Z
Fターム (7件)：
2H095AB30 ,  2H095BA03 ,  2H095BC04 ,  2H095BC24 ,  5F146BA02 ,  5F146BA08 ,  5F146DA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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