特許
J-GLOBAL ID：201503005324048443

多層配線用パッド構造および多層配線用パッド構造の製造方法

発明者：
栗島 賢二

栗島 賢二 について

, 
井田 実

井田 実 について

, 
柏尾 典秀

柏尾 典秀 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-271367
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126175
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】ボンディング不良が発生せず、かつ、耐湿性の高い多層配線用パッド構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る多層配線用パッド構造は、半導体基板(1)上に層間絶縁膜(2〜4)を介して積層された複数の金属配線(13、23、33)と、最上位の金属配線(33)直下の層間絶縁膜(4)を貫通する一つのコンタクトホール(72)と、コンタクトホール内部において当該コンタクトホールが形成される層間絶縁膜直下の金属配線(23)上に形成された金属から成る支柱(32)と、前記支柱を配置することによってコンタクトホール内部に形成される半導体基板平面方向の隙間に充填され、最上位の金属配線(330)とその直下の金属配線とを電気的に接続する貫通配線(331)とを備え、支柱を配置することによって形成された隙間の間隔(d1)は、最上位の金属配線の厚さ(X1)の2倍以下であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の金属配線と、 最上位の金属配線の直下の層間絶縁膜を貫通する一つの第1のコンタクトホールと、 前記第1のコンタクトホール内部において、前記第1のコンタクトホールが形成される層間絶縁膜直下の金属配線上に形成された、金属から成る第1の支柱と、 前記第1の支柱を配置することによって前記第1のコンタクトホール内部に形成される前記半導体基板の平面方向の隙間に充填され、前記最上位の金属配線とその直下の金属配線とを電気的に接続する第1の貫通配線と、を備える ことを特徴とする多層配線用パッド構造。
IPC (6件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/60
FI (3件)：
H01L21/88 T ,  H01L27/04 E ,  H01L21/60 301N
Fターム (41件)：
5F033GG02 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK13 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ42 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033UU04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10 ,  5F033XX13 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F038BE07 ,  5F038CA10 ,  5F038CD09 ,  5F038CD12 ,  5F038CD13 ,  5F038CD18 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F044EE01 ,  5F044EE06 ,  5F044EE08 ,  5F044EE11 ,  5F044EE21
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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