特許
J-GLOBAL ID：201503005813566031

クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者：
亀田 賢治

亀田 賢治 について

, 
山本 隆治

山本 隆治 について

, 
浦野 裕司

浦野 裕司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (3件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-027905
公開番号（公開出願番号）：特開2015-153956
出願日： 2014年02月17日
公開日（公表日）： 2015年08月24日
要約：
【課題】成膜処理を行った後、処理室内およびノズル内に付着した堆積物をそれぞれ除去する。【解決手段】第1の温度に加熱された処理室内へ、第1の温度に加熱された第1のノズルよりフッ素系ガスを供給するとともに第1の温度に加熱された第2のノズルより酸化窒素系ガスを供給することで、処理室内の部材の表面に堆積した膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する第1のクリーニング工程と、処理室内の温度を第1の温度よりも高い第2の温度に変更する工程と、第2の温度に加熱された処理室内へ、第2の温度に加熱された第1のノズルよりフッ素系ガスを供給することで、堆積物除去後に処理室内の部材の表面に残留した物質を熱化学反応により取り除くと共に、第1のノズル内に付着した堆積物を熱化学反応により除去する第2のクリーニング工程と、を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成膜温度に加熱された処理室内の基板に対して、前記成膜温度に加熱された第1のノズルより原料ガスを供給する工程と、前記成膜温度に加熱された第2のノズルより前記原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する処理を行った後の前記処理室内をクリーニングする方法であって、 第1の温度に加熱された前記処理室内へ、前記第1の温度に加熱された前記第1のノズルよりフッ素系ガスを供給するとともに前記第1の温度に加熱された前記第2のノズルより酸化窒素系ガスを供給することで、前記処理室内の部材の表面に堆積した前記膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する第1のクリーニング工程と、 前記処理室内の温度を前記第1の温度よりも高い第2の温度に変更する工程と、 前記第2の温度に加熱された前記処理室内へ、前記第2の温度に加熱された前記第1のノズルよりフッ素系ガスを供給することで、前記堆積物除去後に前記処理室内の前記部材の表面に残留した物質を熱化学反応により取り除くと共に、前記第1のノズル内に付着した堆積物を熱化学反応により除去する第2のクリーニング工程と、 を有するクリーニング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/44
FI (4件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 B ,  H01L21/302 101H ,  C23C16/44 J
Fターム (56件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA41 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BB28 ,  5F004CA01 ,  5F004DA00 ,  5F004DB00 ,  5F004DB07 ,  5F045AA03 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F058BA07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BC11 ,  5F058BC12 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BH12
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM