特許
J-GLOBAL ID：201503005835735759

電界電子放出膜、電界電子放出素子、発光素子およびそれらの製造方法

発明者：
下位 法弘

下位 法弘 について

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田路 和幸

田路 和幸 について

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田中 泰光

田中 泰光 について

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甲斐 博之

甲斐 博之 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について

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DOWAホールディングス株式会社

DOWAホールディングス株式会社 について


代理人 (2件)： 小松 高 ,  和田 憲治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-002982
公開番号（公開出願番号）：特開2015-133196
出願日： 2014年01月10日
公開日（公表日）： 2015年07月23日
要約：
【課題】小電力で作動が可能であり、かつ、輝度の発光面内均一性が高い電界電子放出膜およびそれを用いた電界電子放出素子、発光素子、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】60〜99.9質量%の錫ドープインジウム酸化物と0.1〜20質量%のカーボンナノチューブとを含む電界電子放出膜であって、前記の膜表面に、幅が0.1〜50μmの範囲である溝が1mm2当たりの総延長2mm以上、かつ、溝部分の面積比率が2〜60%の範囲で形成されており、前記の溝の壁面においてカーボンナノチューブが露出した構造を有する、電界電子放出膜。基板上に、カーボンナノチューブを含有するITO膜を形成した後、ITO膜の表面に溝を形成し、その溝の壁面に露出したカーボンナノチューブの端部をエミッタとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
60〜99.9質量%の錫ドープインジウム酸化物と0.1〜20質量%のカーボンナノチューブとを含む電界電子放出膜であって、前記の膜表面に、幅が0.1〜50μmの範囲である溝が1mm2当たりの総延長2mm以上、かつ、溝部分の面積比率が2〜60%の範囲で形成されており、前記の溝の壁面においてカーボンナノチューブが露出した構造を有する、電界電子放出膜。
IPC (3件)：
H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 63/06
FI (3件)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B ,  H01J63/06
Fターム (28件)：
5C039MM09 ,  5C127AA01 ,  5C127AA20 ,  5C127BA09 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD69 ,  5C127DD72 ,  5C127DD90 ,  5C127EE04 ,  5C127EE15 ,  5C135AA09 ,  5C135AA15 ,  5C135AB07 ,  5C135AC08 ,  5C135HH04 ,  5C135HH15 ,  5C227AA04 ,  5C227AA15 ,  5C227AB09 ,  5C227AB15 ,  5C227AC07 ,  5C227AD02 ,  5C227AD12 ,  5C227HH69 ,  5C227HH72 ,  5C227HH90
引用特許：
審査官引用 (3件)

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