半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：奥田誠司 , 喜多修市 , 山下亮司 , 三宅章子 , 岡部英隆 , 田中悠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-556350
特許番号：特許第5824535号
出願日： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、前記基板の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成された第1透明電極と、前記第2の絶縁層および前記第1透明電極の上に形成された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、前記ドレイン電極と電気的に接続された第2透明電極とを有し、前記酸化物半導体層の少なくとも一部は、前記第1の絶縁層および第2の絶縁層を介して前記ゲート電極と重なり、前記第1透明電極の少なくとも一部は、前記第1の絶縁層を介して前記第2透明電極と重なり、かつ、前記酸化物半導体層および前記第2透明電極は、同一の酸化物膜から形成されている、半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , G09F 9/30 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 23/532 ( 200 6.01) , H01L 23/522 ( 200 6.01) , G02F 1/1368 ( 200 6.01) , G09F 9/00 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/78 612 D , G09F 9/30 338 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 616 S , H01L 21/88 M , H01L 21/90 B , G02F 1/136 , G09F 9/00 338

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタアレイ、その製造方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-217273 出願人：日本電気株式会社, NEC液晶テクノロジー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-034357 出願人：松下電器産業株式会社
TFT-LCDアレイ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-038635 出願人：北京京東方光電科技有限公司

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