特許
J-GLOBAL ID:201503006533668501
成膜装置および方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
恩田 誠
, 恩田 博宣
, 本田 淳
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-520778
公開番号(公開出願番号):特表2015-527486
出願日: 2013年07月15日
公開日(公表日): 2015年09月17日
要約:
RPCVDによって基材上に薄膜を形成する装置および方法は、非常に低レベルの炭素および酸素の不純物を提供し、かつ第VA族プラズマを成長チャンバの第1堆積区域に導入する工程と、第IIIA族試薬を第1堆積区域とは離れた成長チャンバの第2堆積区域に導入する工程と、アンモニア、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよび水素プラズマのうちからなる群より選択される一定量の追加試薬を、追加試薬注入口を介して、追加試薬と第IIIA族試薬とが堆積前に混合するように、第2堆積区域に導入する工程とを含む。
請求項(抜粋):
膜を形成するためのRPCVD装置であって、前記装置は成長チャンバを備え、前記成長チャンバは、
(a)前記成長チャンバの第1堆積区域に位置して、前記第1堆積区域に第VA族プラズマを導入する第VA族プラズマ注入口と、
(b)前記成長チャンバの第2堆積区域に位置して、前記第2堆積区域に第IIIA族試薬を導入する第IIIA族試薬注入口と、
(c)アンモニア、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよび水素プラズマからなる群より選択される追加試薬を、該追加試薬と第IIIA族試薬とが堆積前に混合するように、第2堆積区域に導入する、第IIIA族試薬注入口に隣接した追加試薬注入口と、
(d)1つ以上の基材を支持し、かつ各基材を第1堆積区域と第2堆積区域との間で回転させるのに適合した基材ホルダとを備える、装置。
IPC (5件):
C23C 16/455
, H01L 21/205
, C23C 16/34
, C23C 16/452
, C30B 29/38
FI (5件):
C23C16/455
, H01L21/205
, C23C16/34
, C23C16/452
, C30B29/38 D
Fターム (69件):
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB06
, 4G077DB16
, 4G077TA04
, 4G077TB05
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BA55
, 4K030BA56
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030EA03
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030JA03
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA16
, 4K030KA12
, 4K030KA41
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AA08
, 5F045AA15
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC01
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC11
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045AD10
, 5F045AD11
, 5F045AD12
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AE21
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF06
, 5F045AF07
, 5F045AF09
, 5F045BB14
, 5F045CA10
, 5F045CA13
, 5F045DP15
, 5F045DP27
, 5F045DQ12
, 5F045EC09
, 5F045EE19
, 5F045EF09
, 5F045EH18
, 5F045EK07
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
窒化ガリウム系材料及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2009-169526
出願人:国立大学法人東北大学, 三菱化学株式会社
-
特許第8143147号
-
原子層堆積システム及び方法
公報種別:公表公報
出願番号:特願2009-549676
出願人:東京エレクトロン株式会社, ト-キョ-・エレクトロン・アメリカ・インコーポレーテッド
-
成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2010-075900
出願人:東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (4件)