特許
J-GLOBAL ID：201103013095279170

成膜装置、成膜方法及び記憶媒体

発明者：
熊谷 武司

熊谷 武司 について

, 
加藤 寿

加藤 寿 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-075900
公開番号（公開出願番号）：特開2011-210872
出願日： 2010年03月29日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。【解決手段】回転テーブル2を回転させてウエハW上にSi含有ガスを吸着させ、次いでウエハWの表面にO3ガスを供給してウエハWの表面に吸着したSi含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜-改質ステップを行った後、Si含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域が形成されたテーブルと、 基板の表面に吸着する第1の反応ガス及び基板の表面上の第1の反応ガスの成分と反応して反応生成物を生成する第2の反応ガスを夫々前記基板載置領域に対して供給するための第1の反応ガス供給手段及び第2の反応ガス供給手段と、 基板上の反応生成物に対して、改質ガスをプラズマ化して得たプラズマにより改質処理を行うためのプラズマ処理手段と、 前記テーブルと前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記プラズマ処理手段とを相対的に回転させる回転機構と、 前記基板に対して反応生成物を生成する成膜処理と改質処理とを行うために、前記真空容器内への第1の反応ガス、第2の反応ガス及び改質ガスの供給とこの改質ガスのプラズマ化とを行う成膜-改質ステップと、第1の反応ガスの供給を停止すると共に前記真空容器内への改質ガスの供給とこの改質ガスのプラズマ化とを行う改質ステップと、をこの順番で少なくとも1回行うように制御信号を出力する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/44 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/316 X ,  C23C16/44 A ,  H05H1/46 M
Fターム (61件)：
4K030AA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA24 ,  4K030BA44 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030KA41 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE23 ,  5F045AF01 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF14 ,  5F045EH02 ,  5F045EK07 ,  5F045EM07 ,  5F045EM10 ,  5F045HA17 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BH16
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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