特許

J-GLOBAL ID：201503006718031925

半導体基板及び半導体素子

発明者： 佐藤 憲 ,  鹿内 洋志 ,  後藤 博一 ,  篠宮 勝 ,  萩本 和徳 ,  土屋 慶太郎
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-086397
公開番号（公開出願番号）：特開2015-207624
出願日： 2014年04月18日
公開日（公表日）： 2015年11月19日
要約：

【課題】 高抵抗層の高抵抗を維持しながら結晶性を高くすることでリーク電流を低減させるとともに、その上に形成されるチャネル層の結晶性も高くすることでチャネル層における電子移動度の低下や電流コラプスの発生を抑制できる半導体基板を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と、前記基板上の窒化物系半導体からなり、炭素を含むバッファ層と、前記バッファ層上の窒化物系半導体からなり、炭素を含む高抵抗層と、前記高抵抗層上の窒化物系半導体からなるチャネル層とを有する半導体基板であって、前記高抵抗層は、前記バッファ層よりも炭素濃度が低い第1の領域と、前記第1の領域と前記チャネル層との間に設けられ、前記第1の領域よりも炭素濃度が高い第2の領域とを有することを特徴とする半導体基板。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上の窒化物系半導体からなり、炭素を含むバッファ層と、 前記バッファ層上の窒化物系半導体からなり、炭素を含む高抵抗層と、 前記高抵抗層上の窒化物系半導体からなるチャネル層と を有する半導体基板であって、 前記高抵抗層は、 前記バッファ層よりも炭素濃度が低い第1の領域と、 前記第1の領域と前記チャネル層との間に設けられ、前記第1の領域よりも炭素濃度が高い第2の領域と を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (15件)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR09 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化合物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-153634   出願人：コバレントマテリアル株式会社
• 窒化物半導体ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-193047   出願人：日立金属株式会社
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-038905   出願人：富士通株式会社