特許
J-GLOBAL ID：201103003651385663

化合物半導体基板

発明者：
小宮山 純

小宮山 純 について

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江里口 健一

江里口 健一 について

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大石 浩司

大石 浩司 について

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阿部 芳久

阿部 芳久 について

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吉田 晃

吉田 晃 について

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鈴木 俊一

鈴木 俊一 について


出願人/特許権者：
コバレントマテリアル株式会社

コバレントマテリアル株式会社 について


代理人 (2件)： 木下 茂 ,  石村 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-153634
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082494
出願日： 2010年07月06日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】クラックや反りの発生が抑制され、かつ、ノーマリオフ型の高耐圧デバイスに好適な化合物半導体基板を低コストで提供する。【解決手段】Si単結晶基板1上に、炭素を1×1018〜1×1021atoms/cm3含むAlxGa1-xN単結晶層(0.6≦x≦1.0)21と、炭素を1×1017〜1×1021atoms/cm3含むAlyGa1-yN単結晶層(0.1≦y≦0.5)22とが順に交互に繰り返し積層された多層バッファ層2と、炭素含有濃度が5×1017atoms/cm3以下である電子走行層31と電子供給層32からなる窒化物活性層3とが順次堆積された構成を備え、前記AlxGa1-xN単結晶層21の炭素含有濃度およびAlyGa1-yN単結晶層22の炭素含有濃度が、いずれも、それぞれ、前記基板1側から前記活性層3側に向かって減少している化合物半導体基板を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si単結晶基板上に、炭素を1×1018atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下含むAlxGa1-xN単結晶層(0.6≦x≦1.0)と、炭素を1×1017atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下含むAlyGa1-yN単結晶層(0≦y≦0.5)とが順に交互に繰り返し積層された多層バッファ層と、炭素含有濃度が5×1017atoms/cm3以下である電子走行層と電子供給層からなる窒化物活性層とが順次堆積された構成を備え、 前記AlxGa1-xN単結晶層の炭素含有濃度およびAlyGa1-yN単結晶層の炭素含有濃度が、いずれも、それぞれ、前記基板側から前記活性層側に向かって減少していることを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (4件)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
Fターム (23件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DA59 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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