特許
J-GLOBAL ID：200903077078627377

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
今西 健治

今西 健治 について

, 
吉川 俊英

吉川 俊英 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-038905
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205146
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】導電性SiC基板上にGaN系のキャリア走行層を含む化合物半導体層を形成して化合物半導体装置を構成する場合において、優れたデバイス特性を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】n型導電性SiC基板10上に、n型導電性SiC基板10上に形成されたi型AlNバッファ層12と、i型AlNバッファ層12上に形成され、Feが添加されたGaNバッファ層16と、GaNバッファ層16上に形成されたi型GaN層18と、i型GaN層18上に形成されたn型AlGaN層20と、n型AlGaN層20上に形成されたソース電極26及びドレイン電極28と、ソース電極26及びドレイン電極28との間のn型AlGaN層20上に形成されたゲート電極34とを有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導電性SiC基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成され、ドナー不純物を不活性化してキャリア濃度を低減するキャリア濃度低減用不純物が添加され、Al組成xが0≦x≦1であるAlxGa1-xN層と、 前記AlxGa1-xN層上に形成されたGaN系のキャリア走行層と、 前記キャリア走行層上に形成されたキャリア供給層と、 前記キャリア供給層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記キャリア供給層上に形成されたゲート電極と を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (3件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J
Fターム (26件)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104DD17 ,  4M104DD68 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GV08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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