抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡辺尚 , 小野由己男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-105646
公開番号（公開出願番号）：特開2015-220445
出願日： 2014年05月21日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：

【課題】強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現させ、抵抗変化型メモリをより安定に動作させる。【解決手段】抵抗変化型メモリ100は、強誘電体層1と、第1電極層3と、第2電極層5と、を備える。強誘電体層1は、BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成される。第1電極層3は、強誘電体層1の第1主面P1上に、強誘電体層1の分極により変化する第1エネルギー障壁E1、E1’、E1’’を有するように形成される。第2電極層5は、強誘電体層1の第2主面P2上に、強誘電体層1の分極により変化する第2エネルギー障壁E2、E2’、E2’’を有するように形成される。【選択図】図6A

請求項（抜粋）：

BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成された強誘電体層と、前記強誘電体層中における分極により変化する第1エネルギー障壁を有するように、前記強誘電体層の第1主面上に形成された第1電極層と、前記強誘電体層中における分極により変化する第2エネルギー障壁を有するように、前記第1主面とは反対側の前記強誘電体層の主面である第2主面上に形成された第2電極層と、を備える抵抗変化型メモリ。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00 , H01L 21/824

FI (4件)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z , H01L27/10 444Z

Fターム (10件)：

5F083FR00 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA42 , 5F083JA44 , 5F083JA45 , 5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (3件)

容量素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-269775 出願人：パナソニック株式会社
強誘電体材料及び圧電体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-074105 出願人：国立大学法人金沢大学
スイッチング素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-318432 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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