強誘電体材料及び圧電体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：新居広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-074105
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231482
出願日： 2008年03月21日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：

【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi:Nd:Fe:Mn=1.0:0.05:0.97:0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電体であるBiFeO3のBiサイトが、希土類元素であるLa、Nd、Sm、Gd、Dy、及びYbのうち少なくとも1つを用いて元素置換され、前記BiFeO3のFeサイトが、遷移金属元素であるTi、Cr、Mn、Co、Ni、及びCuのうち少なくとも1つを用いて元素置換がされたことを特徴とする強誘電体材料。

IPC (9件)：

H01L 41/187 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 41/18 , H01L 41/24 , H01B 3/12 , C23C 14/08 , C23C 14/34 , C04B 35/26

FI (8件)：

H01L41/18 101B , H01L27/10 444C , H01L41/18 101Z , H01L41/22 A , H01B3/12 318Z , C23C14/08 K , C23C14/34 A , C04B35/26 Z

Fターム (37件)：

4G018AA11 , 4G018AA13 , 4G018AA15 , 4G018AA20 , 4G018AA21 , 4G018AA22 , 4G018AA23 , 4G018AA24 , 4G018AA37 , 4G018AB07 , 4K029BA50 , 4K029DB05 , 4K029DB20 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5F083FR01 , 5F083GA06 , 5F083JA13 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083PR22 , 5G303AA01 , 5G303AA03 , 5G303AB06 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB05 , 5G303CB09 , 5G303CB10 , 5G303CB11 , 5G303CB13 , 5G303CB15 , 5G303CB18 , 5G303CB22 , 5G303CB23 , 5G303CB35 , 5G303CB41

引用特許：

出願人引用 (2件)

キャパシタ及びその製造方法、並びに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-428491 出願人：セイコーエプソン株式会社
強誘電体メモリ材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-019129 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (6件)

圧電材料および圧電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-110031 出願人：セイコーエプソン株式会社
圧電材料および圧電素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-109979 出願人：セイコーエプソン株式会社
強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-371905 出願人：富士通株式会社, 国立大学法人東京工業大学

全件表示

前のページに戻る