特許
J-GLOBAL ID：201503006956387193
熱電変換材料および熱電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-109929
公開番号（公開出願番号）：特開2015-225951
出願日： 2014年05月28日
公開日（公表日）： 2015年12月14日
要約：
【課題】熱電変換材料の熱電性能を向上させる。【解決手段】母材料10である半導体シリコン化合物と、母材料10中に分散する分散材料20であるSiからなる粒子と、を有する熱電変換材料において、分散材料の量を、母材料のキャリア数を変調可能な量以下とする。このように、母材料を分散材料であるSiと相分離する半導体シリコン化合物とすることで、Siの量が増えても母材料とは異なるシリコン化合物が生成することを回避することができる。そして、余剰のSiにより母材料の結晶欠陥などに起因するキャリアを生成させることができる。また、分散材料であるSiを、母材料のキャリア数を変調可能な量以上添加すると、熱電性能は低下する。このように、Siの添加量を母材料のキャリア数を変調可能な量以下に抑えることで、熱電性能を向上させることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
母材料である半導体シリコン化合物と、
前記母材料中に分散する分散材料であるSiからなる粒子と、を有し、
前記分散材料の量が、前記母材料のキャリア数を変調可能な量以下である、熱電変換材料。
IPC (7件)：
H01L 35/14
, H01L 35/34
, H01L 35/32
, H01L 29/06
, C01B 33/06
, B82Y 30/00
, H01L 35/26
H01L35/14
, H01L35/34
, H01L35/32 A
, H01L29/06 601N
, C01B33/06
, B82Y30/00
, H01L35/26
4G072AA20
, 4G072AA22
, 4G072AA50
, 4G072BB09
, 4G072BB10
, 4G072FF09
, 4G072GG02
, 4G072MM36
, 4G072NN11
, 4G072UU01
, 4G072UU30
