半導体装置、放射ディテクタ及び製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 大貫進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-527986
公開番号（公開出願番号）：特表2015-534043
出願日： 2013年08月12日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：

放射ディテクタ(10)は、正孔及び電子を生成する半導体素子(1)と、半導体素子(1)の第1表面に形成されるカソード(2)と、第1表面と対向する位置にある半導体素子(1)の第2表面に形成される分割された複数のアノード(3)とを有する。更に、分割された複数のステアリング電極(5a)が分割された複数のアノード(3)に隣接して配置される。更に、複数のドーピング原子が、分割された複数のアノード(3)の少なくとも一部分の上に設けられ、分割された複数のアノード(3)と分割された複数のステアリング電極(5a)との間の電位差を減らす。

請求項（抜粋）：

互いに対向する関係にある収集電極のペアと、前記収集電極の間に配置される半導体と、前記収集電極のペアのうちの何れかに隣接して配置されるステアリング電極と、前記ステアリング電極の少なくとも一部の上に設けられかつ前記半導体の中にある空間的に変調されるドーピング特性と、を有する装置。

IPC (3件)：

G01T 1/24 , A61B 6/03 , H01L 31/08

FI (3件)：

G01T1/24 , A61B6/03 320R , H01L31/00 A

Fターム (26件)：

2G001AA01 , 2G001BA11 , 2G001CA01 , 2G001GA01 , 2G001HA14 , 2G001JA05 , 2G001LA10 , 2G188AA02 , 2G188AA03 , 2G188AA25 , 2G188BB02 , 2G188BB04 , 2G188CC29 , 2G188DD33 , 2G188DD41 , 2G188DD44 , 2G188EE12 , 4C093AA22 , 4C093CA13 , 4C093EB13 , 4C093EB20 , 5F849AB09 , 5F849FA05 , 5F849GA03 , 5F849LA07 , 5F849XB04

引用特許：

審査官引用 (8件)

高速型放射線検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-109465 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
単一キャリア型固体放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-238146 出願人：サンタ・バーバラ・リサーチ・センター
大領域能動マトリックス配列を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-018543 出願人：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン

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