特許
J-GLOBAL ID：201503007368745187

パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板並びにヒートシンク付パワーモジュール

発明者：
寺▲崎▼ 伸幸

寺▲崎▼ 伸幸 について

, 
長友 義幸

長友 義幸 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアル株式会社

三菱マテリアル株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-091814
公開番号（公開出願番号）：特開2015-211125
出願日： 2014年04月25日
公開日（公表日）： 2015年11月24日
要約：
【課題】冷熱サイクル負荷時において、接合信頼性の低下や熱抵抗の上昇を抑制し、かつセラミックス基板の割れを防止する。【解決手段】回路層12はセラミックス基板11の一方の面11fに接合された第一アルミニウム層12Aと、第一アルミニウム層12Aに固相拡散接合された第一銅層12Bとを有し、金属層13は第一アルミニウム層12Aと同一材料により形成されセラミックス基板11の他方の面11bに接合された第二アルミニウム層13Aと、第一銅層12Bと同一材料により形成されて第二アルミニウム層13Aに固相拡散接合された第二銅層13Bとを有し、第一銅層12Bの厚みt1が1.7mm以上5mm以下とされ、第一銅層12Bの厚みt1と第二銅層13Bの厚みt2の合計が7mm以下とされ、厚みt1と厚みt2との比率t2/t1が0を超えて1.2以下の範囲のうち0.6以上0.8以下を除く範囲に設定される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の一方の面に積層された回路層と、他方の面に積層された金属層とを備えたパワーモジュール用基板であって、前記回路層は、前記セラミックス基板の一方の面に接合された第一アルミニウム層と、該第一アルミニウム層に固相拡散接合された第一銅層とを有し、前記金属層は、前記第一アルミニウム層と同一材料により形成され前記セラミックス基板の他方の面に接合された第二アルミニウム層と、前記第一銅層と同一材料により形成されて前記第二アルミニウム層に固相拡散接合された第二銅層とを有し、前記第一銅層の厚みt1が1.7mm以上5mm以下とされ、前記第一銅層の厚みt1と前記第二銅層の厚みt2の合計が7mm以下とされ、前記第一銅層の厚みt1と前記第二銅層の厚みt2との比率t2/t1が0を超えて1.2以下の範囲のうち0.6以上0.8以下を除く範囲に設定されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (5件)：
H01L 23/13 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L23/12 C ,  H01L25/04 C ,  H01L23/36 C ,  H01L23/12 J
Fターム (9件)：
5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136BC01 ,  5F136DA27 ,  5F136EA02 ,  5F136EA13 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA14
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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