無電解ニッケルめっき液及びそれを用いた無電解ニッケルめっき方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：曾我道治 , 梶並順 , 大宅一宏 , 飯野智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-161661
公開番号（公開出願番号）：特開2015-030884
出願日： 2013年08月02日
公開日（公表日）： 2015年02月16日
要約：

【課題】バナジン酸やモリブデン酸とヒドロキシカルボン酸とを含有する無電解ニッケルめっき液の安定性を改善すること。【解決手段】バナジン酸イオン(VO3-)及びモリブデン酸イオン(MoO42-)から選択される少なくとも1種の安定剤と、強酸化剤であるヨウ素酸イオン(IO3-)と、ニッケルイオンと、ヒドロキシカルボン酸と、ニッケルイオン還元剤とを含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき液である。安定剤としてバナジン酸イオン(VO3-)を含有する場合、バナジン酸イオン(VO3-)濃度の0.25倍〜10倍のヨウ素酸イオン(IO3-)濃度とすれば、より高い効果が得られる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

バナジン酸イオン(VO3-)及びモリブデン酸イオン(MoO42-)から選択される少なくとも1種と、ヨウ素酸イオン(IO3-)と、ニッケルイオンと、ヒドロキシカルボン酸と、ニッケルイオンの還元剤とを含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき液。

IPC (2件)：

C23C 18/34 , C23C 18/36

FI (2件)：

C23C18/34 , C23C18/36

Fターム (11件)：

4K022AA02 , 4K022AA04 , 4K022AA13 , 4K022BA04 , 4K022BA14 , 4K022BA16 , 4K022DA01 , 4K022DB01 , 4K022DB02 , 4K022DB03 , 4K022DB07

引用特許：

審査官引用 (8件)

無電解ニッケルめっき液及び無電解ニッケルめっき方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-130472 出願人：上村工業株式会社
スタック・メモリ・セルのためのコバルト自己開始的無電解ビア充填
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-557069 出願人：エントンインコーポレイテッド
無電解メッキ液及びそれを使用するメッキ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-099711 出願人：ディップソール株式会社

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