パターン形成方法及びこれに用いられる組成物

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：天野一規 , 池田義典 , 小川博生 , 石田耕治 , 各務幸樹 , 藤中賢一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-007296
公開番号（公開出願番号）：特開2015-180920
出願日： 2015年01月16日
公開日（公表日）： 2015年10月15日
要約：

【課題】簡便な方法で、所望する寸法の微細なレジストパターンを形成でき、かつパターン種依存性が小さいパターン形成方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、有機溶媒に不溶又は難溶のプレパターンを形成する工程と、上記プレパターンの少なくとも側面に樹脂層を形成する工程と、上記プレパターン及び樹脂層の加熱により、上記樹脂層のうちのプレパターンとの隣接部を高分子量化を伴わずに上記有機溶媒に不溶化又は難溶化させる工程と、上記樹脂層のうちの不溶化又は難溶化した隣接部以外の部分を上記有機溶媒により除去する工程とを備えるパターン形成方法であって、上記樹脂層が、酸の作用により上記有機溶媒への溶解度が実質的に変化しない第1重合体及び有機溶媒を含有する第1組成物から形成され、上記第1重合体の重量平均分子量が15,000以上150,000以下であることを特徴とするパターン形成方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機溶媒に不溶又は難溶のプレパターンを形成する工程と、上記プレパターンの少なくとも側面に樹脂層を形成する工程と、上記プレパターン及び樹脂層の加熱により、上記樹脂層のうちのプレパターンとの隣接部を高分子量化を伴わずに上記有機溶媒に不溶化又は難溶化させる工程と、上記樹脂層のうちの不溶化又は難溶化した隣接部以外の部分を上記有機溶媒により除去する工程とを備えるパターン形成方法であって、上記樹脂層が、酸の作用により上記有機溶媒への溶解度が実質的に変化しない第1重合体及び有機溶媒を含有する第1組成物から形成され、上記第1重合体の重量平均分子量が15,000以上150,000以下であることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (10件)：

G03F 7/40 , G03F 7/038 , G03F 7/039 , C08F 220/28 , C08F 220/24 , C08F 220/34 , C08F 220/38 , C08F 220/18 , C08F 212/08 , H01L 21/027

FI (11件)：

G03F7/40 511 , G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , C08F220/28 , C08F220/24 , C08F220/34 , C08F220/38 , C08F220/18 , C08F212/08 , H01L21/30 570 , H01L21/30 569E

Fターム (79件)：

2H125AF18P , 2H125AF38P , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH24 , 2H125AH29 , 2H125AJ14X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ68X , 2H125AL03 , 2H125AL11 , 2H125AN39P , 2H125AN42P , 2H125AN54P , 2H125BA02P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC15 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 2H196AA25 , 2H196BA06 , 2H196GA03 , 2H196HA34 , 2H196HA35 , 4J100AB02Q , 4J100AL03Q , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA02R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA05Q , 4J100BA11P , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA20Q , 4J100BA28R , 4J100BA40Q , 4J100BA58R , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC02P , 4J100BC03P , 4J100BC04Q , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC09S , 4J100BC12P , 4J100BC43Q , 4J100BC49Q , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100BC53R , 4J100BC65R , 4J100BC84P , 4J100BC84Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100DA01 , 4J100DA04 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100GC07 , 4J100GC25 , 4J100GC35 , 4J100JA37 , 4J100JA38 , 5F146LA12 , 5F146LA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン形成方法、これに用いられる組成物、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-133229 出願人：富士フイルム株式会社
微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-224030 出願人：AZエレクトロニックマテリアルズIP株式会社
微細パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターンを形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-095394 出願人：コリアクンホペトロケミカルカンパニーリミテッド

全件表示

前のページに戻る