特許

J-GLOBAL ID：201503008907618360

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  肥塚 純一 ,  神長 正美 ,  島 行徳 ,  羽持 貴士 ,  中澤 安孝
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-249834
公開番号（公開出願番号）：特開2015-144250
出願日： 2014年12月10日
公開日（公表日）： 2015年08月06日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いたオン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】駆動回路部に設けられた第1のトランジスタと、画素部に設けられた第2のトランジスタとを有する半導体装置であって、第1のトランジスタと第2のトランジスタは構造が異なる。また、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタは、トップゲート構造のトランジスタであって、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極として機能する導電膜が重ならない。また、酸化物半導体膜において、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に不純物元素を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有し、 前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第1の絶縁膜と、第1の酸化物半導体膜と、一対の第1の導電膜と、第2の絶縁膜と、第2のゲート電極を有し、 前記第1の絶縁膜は、前記第1のゲート電極と前記第1の酸化物半導体膜との間に設けられ、 前記第1のゲート電極は、前記第1のトランジスタのチャネル幅方向において、前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜に設けられる開口部で、前記第2のゲート電極と接続され、 前記一対の第1の導電膜は、前記第1の酸化物半導体膜と接し、 前記第2の絶縁膜は、前記第1の酸化物半導体膜と前記第2のゲート電極との間に設けられ、 前記第1の酸化物半導体膜は、前記第2のゲート電極及び前記一対の第1の導電膜と重ならない領域において、不純物元素を有し、 前記第2のトランジスタは、第2の酸化物半導体膜と、一対の第2の導電膜と、前記第2の絶縁膜と、第3のゲート電極と、を有し、 前記一対の第2の導電膜は、前記第2の酸化物半導体膜と接し、 前記第2の絶縁膜は、前記第2の酸化物半導体膜と前記第3のゲート電極との間に設けられ、 前記第2の酸化物半導体膜は、前記第3のゲート電極及び前記一対の第2の導電膜と重ならない領域において、前記不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/266

FI (11件)：

H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612B ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102B ,  H01L27/08 331E ,  H01L21/265 M ,  H01L29/78 618E

Fターム (111件)：

5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC05 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048DA24 ,  5F048DA25 ,  5F048DA26 ,  5F048DA27 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HL27 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (5件)

• トランジスタとこれを含む半導体素子及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-119199   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-095152   出願人：韓國電子通信研究院
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-011690   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜の形成方法、半導体装置の作製方法、及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-117666   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 酸化物半導体膜の処理方法および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-159183   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所