水素結合形成アミド基を持つキラル二環式ジエン配位子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-066957
公開番号（公開出願番号）：特開2015-172024
出願日： 2014年03月11日
公開日（公表日）： 2015年10月01日
要約：

【課題】水素結合の形成に寄与するtert-ブチルアミド基を持つキラル二環式ジエン配位子、及びより効率的に光学活性物質を得るためのキラル遷移金属錯体を提供。【解決手段】式(1)で表されるキラル二環式ジエン配位子、及び式(2)で表される反応式で精製されるキラル後周期遷移金属錯体。(R1〜R3はH、アルキル基、又はアルコキシ基;nは0又は1のメチレン鎖;Mは後周期遷移金属種;Lは式(1)の配位子と交換が可能な配位子)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示された、水素結合の形成に寄与するtert-ブチルアミド基を持つキラル二環式ジエン誘導体。

IPC (2件)：

C07C 233/58 , B01J 31/22

FI (2件)：

C07C233/58 , B01J31/22 Z

Fターム (35件)：

4G169AA06 , 4G169BA27A , 4G169BA27B , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BC69A , 4G169BC71B , 4G169BE01A , 4G169BE01B , 4G169BE03A , 4G169BE03B , 4G169BE13A , 4G169BE13B , 4G169BE19A , 4G169BE19B , 4G169BE36A , 4G169BE36B , 4G169CB25 , 4G169CB57 , 4G169CB66 , 4G169DA02 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB40 , 4H006AB82 , 4H006AC81 , 4H006BA24 , 4H006BA46 , 4H006BJ30 , 4H006BV34 , 4H006BV62 , 4H050AA01 , 4H050AB40 , 4H050WB11 , 4H050WB21

引用特許：

審査官引用 (1件)

特開昭58-110550

引用文献：

審査官引用 (8件)

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