赤外線発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：森哲也 , 田中秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-063667
公開番号（公開出願番号）：特開2015-185801
出願日： 2014年03月26日
公開日（公表日）： 2015年10月22日
要約：

【課題】発光層全体に注入電流を均一に拡散させ、発光効率を向上させる。【解決手段】第1導電型半導体層11と発光層12と第2導電型半導体層13とがこの順に積層された少なくとも1つのメサ型化合物半導体積層部10と、第1導電型半導体層11および/または第2導電型半導体層13上に形成された、複数の開口部51、52を有する絶縁層20と、第1導電型半導体層11に電気的に接続される第1電極部30と、第2導電型半導体層13に電気的に接続される第2電極部40と、を備えて赤外線発光素子100を構成し、第1電極部30および/または第2電極部40を、絶縁層20に形成された複数の開口部51、52を介してメサ型半導体積層部10に電気的に接続する。これにより、メサ型半導体積層部10における電流経路を分散させ、発光層12全体に注入電流を拡散させることができ、発光効率を向上させることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体層、赤外線領域で発光する発光層、および前記第1導電型半導体層とは導電型の異なる第2導電型半導体層がこの順に積層された少なくとも1つのメサ型化合物半導体積層部と、前記第1導電型半導体層および/または前記第2導電型半導体層上に積層された、複数の開口部を有する絶縁層と、前記第1導電型半導体層に電気的に接続される第1電極部と、前記第2導電型半導体層に電気的に接続される第2電極部と、を備え、前記第1電極部および/または前記第2電極部は、前記絶縁層に形成された複数の開口部を介して前記メサ型半導体積層部に電気的に接続される赤外線発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/38

FI (1件)：

H01L33/00 210

Fターム (16件)：

5F141AA03 , 5F141AA21 , 5F141CA02 , 5F141CA34 , 5F141CA74 , 5F141CA93 , 5F141CB11 , 5F141FF16 , 5F241AA03 , 5F241AA21 , 5F241CA02 , 5F241CA34 , 5F241CA74 , 5F241CA93 , 5F241CB11 , 5F241FF16

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-026136 出願人：昭和電工株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-184028 出願人：豊田合成株式会社
発光ダイオードおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-214310 出願人：株式会社日立製作所

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