特許
J-GLOBAL ID：201203068048501758

発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置

発明者：
粟飯原 範行

粟飯原 範行 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-269709
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119585
出願日： 2010年12月02日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。【解決手段】組成式(InX1Ga1-X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1-X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層11と、該活性層11を挟む第1のクラッド層9と第2のクラッド層13とを有する発光部7と、発光部7上に形成された電流拡散層8と、電流拡散層8に接合された機能性基板3とを備え、第1及び第2のクラッド層9、13が組成式(AlX3Ga1-X3)Y1In1-Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
組成式(InX1Ga1-X1)As(0≦X1≦1)の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式(AlX2Ga1-X2)As(0≦X2≦1)の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む第1のクラッド層及び第2のクラッド層とを有する発光部と、 前記発光部上に形成された電流拡散層と、 前記電流拡散層に接合された機能性基板と、を備え、 前記第1及び第2のクラッド層が組成式(AlX3Ga1-X3)Y1In1-Y1P(0≦X3≦1,0<Y1≦1)の化合物半導体からなり、 前記井戸層及びバリア層のペア数が5以下であることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (5件)：
H01L 33/06 ,  H01L 33/30 ,  H01L 33/10 ,  F21S 2/00 ,  F21V 33/00
FI (5件)：
H01L33/00 112 ,  H01L33/00 184 ,  H01L33/00 130 ,  F21S2/00 100 ,  F21V33/00 400
Fターム (47件)：
3K014RB09 ,  3K243MA01 ,  5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F041CB32 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA35 ,  5F041DA43 ,  5F041FF11 ,  5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141AA14 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA22 ,  5F141CA36 ,  5F141CA37 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA77 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CB11 ,  5F141CB15 ,  5F141CB32 ,  5F141CB36 ,  5F141FF11
引用特許：
審査官引用 (13件)
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