特許
J-GLOBAL ID:201503012001062656
量子井戸太陽電池
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-026098
公開番号(公開出願番号):特開2015-153892
出願日: 2014年02月14日
公開日(公表日): 2015年08月24日
要約:
【課題】量子井戸太陽電池の光吸収率を大きくするとともに、量子井戸内でのキャリアの再結合を抑制することによって、その効率を向上させる。 【解決手段】障壁層と量子井戸層との積層構造を設けた量子井戸太陽電池において、kBをボルツマン定数とし、絶対温度をTとするとき、量子井戸層の半導体の伝導帯における基底状態のエネルギー準位と障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±3kBT以内とする。これにより、光照射によって量子井戸内に生成されたキャリアは、迅速に量子井戸外部に取り出され、再結合が抑制される。また、量子井戸に直接遷移半導体を、障壁層に間接遷移半導体を使用する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
障壁層と量子井戸層との積層体を設けた量子井戸太陽電池において、
kBをボルツマン定数とし、絶対温度をTとするとき、前記量子井戸層の半導体の基底状態のエネルギー準位と前記障壁層の半導体の伝導帯下端のエネルギー準位の差が±3kBT以内である量子井戸太陽電池。
IPC (4件):
H01L 31/035
, H01L 31/073
, H01L 29/06
, H01L 29/201
FI (5件):
H01L31/04 342
, H01L31/06 430
, H01L29/06 601W
, H01L29/06 301M
, H01L29/201
Fターム (7件):
5F151AA08
, 5F151AA16
, 5F151DA04
, 5F151DA13
, 5F151FA06
, 5F151FA13
, 5F151GA04
引用特許:
出願人引用 (3件)
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-096388
出願人:株式会社日立製作所
-
特開平1-032693
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-115876
出願人:シャープ株式会社
審査官引用 (3件)
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-096388
出願人:株式会社日立製作所
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特開平1-032693
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-115876
出願人:シャープ株式会社
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