基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-016871
公開番号（公開出願番号）：特開2015-181149
出願日： 2015年01月30日
公開日（公表日）： 2015年10月15日
要約：

【課題】回転型装置において均一にプラズマを供給可能とする基板処理装置及び半導体装置の製造方法並びに記録媒体を提供する。【解決手段】原料ガス供給領域206a(第1処理領域)、反応ガス供給領域206b(第2処理領域)を有し、原料ガス供給領域内、反応ガス供給領域内で基板200(ウエハ)を処理する処理室201と、処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の基板を載置する基板載置台217(サセプタ)と、反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室290にプラズマを生成するプラズマ生成部と、プラズマ生成室の外周に巻かれ、プラズマ生成室の側壁291と隣接する部分の曲率が一定であるコイル293と、プラズマ生成室の天井292から、プラズマ生成室を介して反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系233と、原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

原料ガス供給領域、反応ガス供給領域を有し、前記原料ガス供給領域内、前記反応ガス供給領域内で基板を処理する処理室と、前記処理室内に回転自在に設けられ、回転方向に沿って複数の前記基板を載置する基板載置台と、前記反応ガス供給領域の上方に設けられるプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外周に巻かれ、前記プラズマ生成室の側壁と隣接する部分の曲率が一定であるコイルと、前記プラズマ生成室の天井から、前記プラズマ生成室を介して前記反応ガス供給領域に反応ガスを供給する反応ガス供給系と、前記原料ガス供給領域に原料ガスを供給する原料ガス供給系と、を有する基板処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/31 , H05H 1/46 , H01L 21/318 , C23C 16/42 , C23C 16/505 , H01L 21/02 , H01L 21/316

FI (8件)：

H01L21/31 C , H05H1/46 L , H01L21/318 B , C23C16/42 , C23C16/505 , H05H1/46 R , H01L21/02 Z , H01L21/316 X

Fターム (78件)：

4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030BA14 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030GA06 , 4K030GA12 , 4K030KA12 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC18 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DQ12 , 5F045DQ17 , 5F045EB08 , 5F045EE19 , 5F045EF09 , 5F045EG02 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EK07 , 5F045EN04 , 5F058BC01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC07 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BD03 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD09 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BG02

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-013013 出願人：株式会社日立国際電気
シリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-129787 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置の製造方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-128763 出願人：株式会社日立国際電気

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