特許
J-GLOBAL ID：201503012439126524

半導体装置

発明者：
朴 鐘 国

朴 鐘 国 について

, 
金 泓 秀

金 泓 秀 について

, 
張 源 哲

張 源 哲 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-175959
公開番号（公開出願番号）：特開2015-050462
出願日： 2014年08月29日
公開日（公表日）： 2015年03月16日
要約：
【課題】信頼性及び集積度がより向上された半導体装置が提供される。【解決手段】本発明による半導体装置は、素子分離膜によって定義された活性領域を含む基板と、前記活性領域を横切って第1方向に延長されるゲート電極と、前記ゲート電極上において、前記第1方向と直交する第2方向に延長される複数の配線と、前記ゲート電極及び前記複数の配線の間に配置され、前記ゲート電極及び前記複数の配線と離隔され、前記第1方向に延長されて前記複数の配線及び前記活性領域と重畳されるコンタクトパッドと、前記コンタクトパッドを前記活性領域と電気的に接続する下部コンタクトプラグと、前記コンタクトパッドと前記複数の配線とのいずれか1つを電気的に接続する上部コンタクトプラグと、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
素子分離膜によって定義された活性領域を含む基板と、 前記活性領域を横切って第1方向に延長されるゲート電極と、 前記ゲート電極上において、前記第1方向と直交する第2方向に延長される複数の配線と、 前記ゲート電極及び前記複数の配線の間に配置され、前記ゲート電極及び前記複数の配線と離隔され、前記第1方向に延長されて前記複数の配線及び前記活性領域と重畳されるコンタクトパッドと、 前記コンタクトパッドを前記活性領域と電気的に接続する下部コンタクトプラグと、 前記コンタクトパッドと前記複数の配線とのいずれか1つを電気的に接続する上部コンタクトプラグと、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/105
FI (3件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 448
Fターム (28件)：
5F083EP02 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083ER03 ,  5F083ER22 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA11 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F101BA01 ,  5F101BA42 ,  5F101BA54 ,  5F101BC02 ,  5F101BD16
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM