半導体装置の不良分析のための分析構造体及びこれを用いた不良分析方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352535
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165569
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】半導体装置の不良分析のための分析構造体及びこれを用いた不良分析方法を提供する。【解決手段】本発明の装置は、半導体基板の所定領域に配置された複数の分析領域と、アレイ構造を形成しつつ分析領域に配置される半導体トランジスタと、分析領域に配置されて、半導体トランジスタを横方向及び縦方向に連結するワードライン及びビットライン構造体と、を含む。この際、ビットライン構造体は分析領域毎に異なる構造を有することを特徴とする。これにより、半導体装置の開発期間を最小化できて、半導体装置の市場先占が可能である。【選択図】図5A

請求項（抜粋）：

半導体基板の所定領域に配置された複数の分析領域と、アレイ構造を形成しつつ、前記分析領域に配置される半導体トランジスタと、前記分析領域に配置されて、前記半導体トランジスタを横方向に連結するワードラインと、前記分析領域に配置されて、前記半導体トランジスタを縦方向に連結するビットライン構造体とを含み、前記ビットライン構造体は、前記分析領域毎に異なる構造を有することを特徴とする半導体不良分析のための分析構造体。

IPC (6件)：

H01L 21/66 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , G01R 31/28

FI (6件)：

H01L21/66 Y , H01L27/04 T , H01L21/88 Z , H01L27/04 A , G01R31/28 U , G01R31/28 B

Fターム (22件)：

2G132AA08 , 2G132AB02 , 2G132AK00 , 2G132AL11 , 2G132AL12 , 4M106AA07 , 4M106AB01 , 4M106AB07 , 4M106AB15 , 4M106DJ20 , 4M106DJ38 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033VV12 , 5F033XX37 , 5F038CA02 , 5F038CA03 , 5F038CA05 , 5F038CD05 , 5F038DF05 , 5F038DT12 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第2003-034558号明細書

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140023 出願人：NECエレクトロニクス株式会社
多層配線構造の検査パターン、検査パターンを備えた半導体装置、半導体装置の検査方法、及び半導体装置の検査システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-198360 出願人：沖電気工業株式会社, 宮崎沖電気株式会社
半導体記憶装置およびそのテスト方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-311297 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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