特許
J-GLOBAL ID：201503012463064530

化合物半導体基板の製造方法

発明者：
浅村 英俊

浅村 英俊 について

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川村 啓介

川村 啓介 について

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長谷川 雅之

長谷川 雅之 について


出願人/特許権者：
エア・ウォーター株式会社

エア・ウォーター株式会社 について


代理人 (1件)： 森本 直之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-083679
公開番号（公開出願番号）：特開2015-202990
出願日： 2014年04月15日
公開日（公表日）： 2015年11月16日
要約：
【課題】製造過程で発生する基板の反りや破断を大幅に減少できる化合物半導体基板の製造方法の提供。【解決手段】エピタキシャル成長によって基板1上に化合物半導体層2を成長させる化合物半導体基板2Aの製造方法であって、基板1は、化合物半導体層2を成長させることができる第1の面6Aと第2の面6Bを有し、第1の面と第2の面に挟まれた部分3を補強するための補強部4が設けられ、補強部4の厚みT4が、上記エピタキシャル成長によって成長させる化合物半導体層2の最終厚みT2よりも厚い厚みに設定されている。これにより、成長させる化合物半導体と基板1との間に格子定数や熱膨張係数の違いがあっても、最終厚みT2まで成長させた単結晶3C-SiC層に反りが発生するのを防止できる化合物半導体基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長によって基板上に化合物半導体層を成長させる化合物半導体基板の製造方法であって、 上記基板は、少なくともいずれかに上記化合物半導体層を成長させることができる第1の面と第2の面を有し、上記第1の面と第2の面に挟まれた部分を補強するための補強部が設けられ、 上記補強部の厚みが、上記エピタキシャル成長によって成長させる化合物半導体層の最終厚みよりも厚い厚みに設定されている ことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/36 A ,  C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045EB15 ,  5F045HA01 ,  5F045HA06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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