特許

J-GLOBAL ID：201503012679626843

パターン形成方法、エッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

発明者： 上羽 亮介 ,  井口 直也 ,  山中 司
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-041981
公開番号（公開出願番号）：特開2015-169674
出願日： 2014年03月04日
公開日（公表日）： 2015年09月28日
要約：

【課題】2つ以上の異なるパターンが異なる領域にレイアウトされたパターンを容易に形成できるパターン形成方法、及び、これを用いたエッチング方法、並びに、これを含む電子デバイスの製造方法、及び、この製造方法により製造された電子デバイスの提供。【解決手段】2つ以上の異なるパターンが異なる領域にレイアウトされたパターンを形成する、パターン形成方法であって、基板上の第1の領域に、第1のネガ型パターンを形成する工程、及び、上記基板上の上記第1の領域とは異なる第2の領域に、上記第1のネガ型パターンとは異なる第2のネガ型パターンを形成する工程、を有するパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

2つ以上の異なるパターンが異なる領域にレイアウトされたパターンを形成する、パターン形成方法であって、 (i)下記工程(i-1)、下記工程(i-2)及び下記工程(i-3)をこの順で行い、基板上の第1の領域に、第1のネガ型パターンを形成する工程、及び、 (i-1)前記基板上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(1)を用いて第1の膜を形成する工程 (i-2)前記第1の膜を、前記第1の領域以外の領域を非露光部として露光する工程 (i-3)前記露光した第1の膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、前記第1の領域に前記第1のネガ型パターンを形成する工程 (iii)下記工程(iii-1)、下記工程(iii-2)及び下記工程(iii-3)をこの順で行い、前記基板上の前記第1の領域とは異なる第2の領域に、前記第1のネガ型パターンとは異なる第2のネガ型パターンを形成する工程、 (iii-1)前記基板上に、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(2)を用いて第2の膜を形成する工程 (iii-2)前記第2の膜を、前記第2の領域以外の領域を非露光部として露光する工程 (iii-3)前記露光した第2の膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像し、前記第2の領域に前記第2のネガ型パターンを形成する工程 を有するパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/32 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 570

Fターム (73件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  2H125AF13P ,  2H125AF16P ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF19P ,  2H125AF38P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH12 ,  2H125AH14 ,  2H125AH15 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH22 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ16Y ,  2H125AJ58X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ97Y ,  2H125AL01 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22P ,  2H125AM23P ,  2H125AM27P ,  2H125AM66P ,  2H125AM86P ,  2H125AM99P ,  2H125AN11P ,  2H125AN31P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN54P ,  2H125AN57P ,  2H125AN62P ,  2H125AN65P ,  2H125AN82P ,  2H125AN86P ,  2H125BA01P ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125BA33P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC17 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  2H125FA18 ,  2H196AA25 ,  2H196BA06 ,  2H196EA05 ,  2H196GA03 ,  2H196HA01 ,  2H196HA33 ,  2H196JA04 ,  5F146LA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-045280   出願人：信越化学工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-129895   出願人：株式会社東芝
• レジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-196258   出願人：東京応化工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-004816   出願人：信越化学工業株式会社