特許
J-GLOBAL ID：201503012928650520

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気メモリ

発明者：
矢ヶ部 恵弥

矢ヶ部 恵弥 について

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大沢 裕一

大沢 裕一 について

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鎌田 親義

鎌田 親義 について

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柏田 沙織

柏田 沙織 について

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伊藤 順一

伊藤 順一 について

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北川 英二

北川 英二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (11件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-055384
公開番号（公開出願番号）：特開2015-179694
出願日： 2014年03月18日
公開日（公表日）： 2015年10月08日
要約：
【課題】 磁気抵抗効果素子の特性を向上する。【解決手段】本実施形態に関わる磁気抵抗効果素子は、第1及び第2の磁性層13,15と、第1及び第2の磁性層との間に設けられた中間層14と、第1の磁性層13の側面上に設けられた積層構造の絶縁体20と、を含み、絶縁体20は、第1の磁性層13の側面上に設けられ、第1の磁性層13内を構成する第1の磁性元素の原子番号より大きい原子番号を有する第1の元素を主成分として含む第1の保護膜200と、第1の保護膜200の第1の磁性層側とは反対側に設けられ、第1の磁性元素の原子番号より小さい原子番号を有する第2の元素を主成分として含む第2の保護膜210と、を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
磁化の向きが可変な第1の磁性層と、 磁化の向きが不変な第2の磁性層と、 前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に設けられた中間層と、 前記第1の磁性層の側面上に設けられた積層構造の側壁保護膜と、 を具備し、 前記側壁保護膜は、 前記第1の磁性層の側面上に設けられ、前記第1の磁性層を構成する第1の磁性元素の原子番号より大きい原子番号を有する第1の元素を主成分として含む第1の保護膜と、 前記第1の保護膜の前記第1の磁性層側とは反対側に設けられ、前記第1の磁性元素の原子番号より小さい原子番号を有する第2の元素を主成分として含む第2の保護膜と、 を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (8件)：
H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (8件)：
H01L43/08 H ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01L21/316 M ,  H01L21/318 M
Fターム (57件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD34 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119HH01 ,  4M119HH04 ,  4M119HH07 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ13 ,  4M119JJ20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF12 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ03 ,  5F092AA01 ,  5F092AA07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA09 ,  5F092CA14 ,  5F092CA15 ,  5F092CA17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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