特許
J-GLOBAL ID：201203067265186970

磁気トンネル接合構造体の製造方法及びこれを利用する磁気メモリ素子の製造方法

発明者：
申 喜珠

申 喜珠 について

, 
鄭 峻昊

鄭 峻昊 について

, 
李 將銀

李 將銀 について

, 
▲呉▼ 世忠

▲呉▼ 世忠 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-260388
公開番号（公開出願番号）：特開2012-119684
出願日： 2011年11月29日
公開日（公表日）： 2012年06月21日
要約：
【課題】本発明は、磁気トンネル接合構造体の製造方法及びこれを利用する磁気メモリ素子の製造方法を提供する。【解決手段】磁気トンネル接合構造体の製造方法は、基板上に第1磁性層、トンネル絶縁層、及び第2磁性層を順次に積層して磁気トンネル接合層を形成し、前記第2磁性層上にマスクパターンを形成し、少なくとも1回のエッチング工程と少なくとも1回の酸化工程を複数回行い、磁気トンネル接合層パターン及び前記磁気トンネル接合層パターンの少なくとも一つの側壁上に側壁絶縁層パターンを形成し、前記少なくとも一つのエッチング工程は、不活性ガスと前記マスクパターンを利用して前記磁気トンネル接合層の一部をエッチングする第1エッチング工程を含み、前記少なくとも一つの酸化工程は、前記磁気トンネル接合層のエッチング面に付着した第1エッチング生成物を酸化する第1酸化工程を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
少なくとも一つのエッチング工程及び少なくとも一つの酸化工程を複数回行い、磁気トンネル接合層パターン及び前記磁気トンネル接合層パターンの少なくとも一つの側壁上に側壁絶縁層パターンを形成することを含む磁気トンネル接合構造体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (4件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12
Fターム (35件)：
4M119AA02 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD08 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF16 ,  4M119FF17 ,  4M119JJ02 ,  4M119KK07 ,  5F092AA11 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092CA08 ,  5F092CA13 ,  5F092CA15
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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